Number of the records: 1
Fázová destička pro použití v transmisní elektronové mikroskopii
- 1.
SYSNO ASEP 0536583 Document Type L - Prototype, Functional Specimen R&D Document Type Prototype, Functional Specimen RIV Subspecies Functional Specimen Title Fázová destička pro použití v transmisní elektronové mikroskopii Title Phase plate for transmission electron microscopy Author(s) Krátký, Stanislav (UPT-D) RID, ORCID, SAI
Fořt, Tomáš (UPT-D) RID, ORCID, SAI
Matějka, Milan (UPT-D) RID, ORCID, SAI
Materna Mikmeková, Eliška (UPT-D) ORCID, RID, SAI
Radlička, Tomáš (UPT-D) RID, ORCID, SAI
Řiháček, Tomáš (UPT-D) RID, ORCID
Sháněl, O. (CZ)
Schneider, M. (CZ)
Mareček, D. (CZ)Number of authors 9 Year of issue 2020 Int.Code APL-2020-07 Technical parameters Křemíkový čip (tloušťka 200 µm) nesoucí tenkou nitridovou membránu (tloušťka ⁓70 nm). Otvor membrány je čtvercového tvaru o rozměru 100×100 µm. Čip je upevněný na platinové clonce o průměru 3 mm. Celý vzorek je pokoven tenkou vrstvou molybdenu (⁓3 nm). Economic parameters Funkční vzorek realizovaný při řešení grantu, s předpokladem smluvního využití s vědeckým a ekonomickým přínosem i po jeho ukončení. Kontakt: Ing. Stanislav Krátký, kratky@isibrno.cz Owner Name Ústav přístrojové techniky AV ČR, v. v. i. Registration Number of the result owner 68081731 Applied result category by the cost of its creation A - Vyčerpaná část nákladů <= 5 mil. Kč License fee fee A - Poskytovatel licence požaduje licenční poplatek Internal identification code of the product assigned by its creator, Regulation no., APL-2020-07 Language cze - Czech Country CZ - Czech Republic Keywords transmission electron microscopy ; phase plate ; silicon nitride ; thin layers ; e-beam lithography Subject RIV JA - Electronics ; Optoelectronics, Electrical Engineering OECD category Electrical and electronic engineering R&D Projects TN01000008 GA TA ČR - Technology Agency of the Czech Republic (TA ČR) Institutional support UPT-D - RVO:68081731 Annotation Fázová destička z nitridu křemíku slouží ke změně fáze procházejících vysokoenergetických elektronů. Nosným substrátem tenké membrány je křemíkový čip připevněný na platinovou clonku, která zároveň odstiňuje nežádoucí elektrony. Celý vzorek je pokoven tenkou vrstvou molybdenu kvůli zajištění vodivosti vzorku. Description in English Silicon nitride phase plate serve as a phase shift element for high energy electrons. Silicon die is a supporting substrate for thin membrane which is glued to platinum aperture. The aperture eliminates unwanted electrons. The whole sample is coated with thin layer of molybdenum to ensure the conductivity of the sample. Workplace Institute of Scientific Instruments Contact Martina Šillerová, sillerova@ISIBrno.Cz, Tel.: 541 514 178 Year of Publishing 2021
Number of the records: 1