0500281 - FZÚ 2019 RIV CZ eng L - Prototype, f. module
Červenka, Vlastimil - Huynh, Jaroslav - Řeháková, Martina
High Power Switch for Pockels cell.
Internal code: HiLASE 03/2018 ; 2018
Technical parameters: Max. spínané napětí >7,2kV ověřeno, předpoklad 10kV, max. frekvence spínání >1MHz, ověřeno v burst módu, max. součin spínací frekvence a spínaného napětí >5MHz x kV.
Economic parameters: Odhadovaná koncová cena zařízení do 30 tis. Kč (bez napájecích zdrojů a přídavné bezindukční zátěže), celková celosvětová kapacita do 100 ks/rok s meziročním růstem nad 5%
R&D Projects: GA MŠMT LO1602; GA ČR GA16-12960S
Institutional support: RVO:68378271
Keywords : pockels Cell * High voltage switch * transistor MOSFET * stack of transistors * protective circuits * monitoring circuits
OECD category: Optics (including laser optics and quantum optics)

Concept of high voltage power switch is described. The solution use modern switching elements as Silicium and Silicium-carbide power MOSFET transistors. Short switching times (10ns) are reached in coincidence with big switching power (>100kW) and resistance against overcurrent (sparks) and overvoltage (induction loads) spikes.

Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0292384