SiGe produkty připravené metodou CDVz různých prekurzorů

0356032 - FZÚ 2011 RIV CZ cze J - Journal Article
Klementová, Mariana - Dřínek, Vladislav - Palatinus, Lukáš - Rieder, M.
SiGe produkty připravené metodou CDVz různých prekurzorů.
[SiGe products prepared by the CVD method from various precursors.]
Materials Structure in Chemistry, Biology, Physics and Technology. Roč. 17, 2a (2010), k93-k94. ISSN 1211-5894.
[Struktura 2010. Soláň, 14.06.2010-17.06.2010]
Institutional research plan: CEZ:AV0Z10100521; CEZ:AV0Z40720504
Keywords : nanowires * nanoplatelets * TEM * Ge
Subject RIV: BM - Solid Matter Physics ; Magnetism

Vzorky připravené z prekurzoru (Si(CH3)3)3GeH obsahují nanovlákna o průměru desítek nanometrů a délce až několika mikrometrů. Nanovlákna vykazují vnitřní strukturu skládající se z jádra o průměru 10 až 30 nm a obalu o tloušťce 10 až 50 nm. Jádro je tvořeno monokrystalickým germaniem, zatímco amorfní Si/SiC obal obsahuje nanočástice germania o velikosti cca 5 nm. Vzorky připravené z kombinace prekurzorů Ge2(CH3)6 a (C2H5)SiH3 obsahují shluky lístečkovitých krystalů SiGe a SiGe nanovlákna. Tvary lístečkovitých krystalů jsou v průmětu hexagonální, často protažené do listovitých čepelí. Krystaly mají velikost několika mikrometrů, ale jejich tloušťka je pouhých 40 nm. Lístky jsou zploštěny ve podle {111} kubické struktury křemíku. Nanovlákna mají tloušťku kolem 10 nm a délku několik mikrometrů. Jedná se o monokrystaly protažené ve směru , bez jakýchkoli defektů.

The deposits prepared from (Si(CH3)3)3GeH contain nanowires of width of tens of nanometers and the length is up to several microns. Nanowires have a core-rim structure with a variable diameter of the core (10 to 30nm) and thickness of the rim (10 to 50nm). The core is composed of crystalline Ge, whereas the rim is mostly amorphous Si/SiC with occasional crystalline Ge nanoparticles up to 5nm in size. The deposits prepared from Ge2(CH3)6 a (C2H5)SiH3 contain flowerlike aggregates of micrometer-size GeSi platelets and GeSi nanowires. The platelets exhibit different shapes from hexagonal to elongated serrated leaves. They are up to several micrometers in size but have thickness of only about 40nm. The platelets grow perpendicular to direction. However, the electron diffraction patterns show interesting modulations probably caused by Si-Ge ordering. The nanowires are only about 10nm thick. They are single crystals which grow in direction and contain no defects.
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0194660