Number of the records: 1
Radiation hardness properties of full-3D active edge silicon sensors
- 1.0324923 - ÚJF 2009 RIV NL eng J - Journal Article
Da Via, C. - Hasi, J. - Kenney, C. - Linhart, V. - Parker, S. - Slavíček, T. - Watts, S. J. - Bém, Pavel - Horažďovský, T. - Pospíšil, S.
Radiation hardness properties of full-3D active edge silicon sensors.
[Radiační odolnost plně-3D křemíkových senzorů s aktivním povrchem.]
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section A. Roč. 587, 2-3 (2008), s. 243-249. ISSN 0168-9002. E-ISSN 1872-9576
Institutional research plan: CEZ:AV0Z10480505
Keywords : silicon detectors * radiation hardness * 3D
Subject RIV: BG - Nuclear, Atomic and Molecular Physics, Colliders
Impact factor: 1.019, year: 2008
Full-three-dimensional (3D) pixel sensors fabricated at the Stanford Nanofabrication Facility were irradiated with neutrons to different doses. The effects of irradiation were studied with respect to their use in the experiment ATLAS at LHC.
Zcela třídimenzionální (3D) pixelové detektory připravené ve Stanfordském zařízení pro nanovýrobu byly ozářeny různými dávkami neutronů. Vlivy ozáření byly studovány s ohledem na vyžití senzorů v expeimentu ATLAS na LHC.
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0172508
Number of the records: 1