Number of the records: 1
Properties of Recrystallized Amorphous Silicon Prepared by XeCl Excimer Laser Irradiation
SYS 0174076 LBL 02534nam^^2200373^^^450 005 20240103175139.7 101 0-
$a eng 102 $a DE 200 1-
$a Properties of Recrystallized Amorphous Silicon Prepared by XeCl Excimer Laser Irradiation 463 -1
$1 200 1 $a Proceedings of the Symposium "Semiconductor Processing and Characterization with Lasers" $v s. 6 $1 210 $d 1994 700 -1
$3 cav_un_auth*0100601 $a Ulrych $b Ivo $p FZU-D $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0061936 $a El-Kader $b K. M. A. $p FZU-D $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0049324 $a Cháb $b Vladimír $p MU-W $4 070 $T Matematický ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100295 $a Kočka $b Jan $p FZU-D $w Thin Films and Nanostructures $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100697 $a Přikryl $b Petr $p MU-W $4 070 $T Matematický ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0054070 $a Vydra $b V. $y CZ $4 070 701 -1
$3 cav_un_auth*0016778 $a Černý $b R. $y CZ $4 070
Number of the records: 1