0133968 - FZU-D 20020256 RIV NL eng J - Journal Article
Shim, J. B. - Lee, J. H. - Yoshikawa, A. - Nikl, Martin - Yoon, D. H. - Fukuda, T.
Growth of Bi₄Ge₃O₁₂ single crystal by the micro-pulling-down method from bismuth rich composition.
[Příprava monokrystalu Bi4Ge3O12 metodou “micro-pulling down” z taveniny s přebytkem bismutu.]
Journal of Crystal Growth. Roč. 243, - (2002), s. 157-163. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
R&D Projects: GA MŠMT ME 519
Institutional research plan: CEZ:AV0Z1010914
Keywords : rich composition * micro-pulling-down method * bismuth germanate
Subject RIV: BM - Solid Matter Physics ; Magnetism
Impact factor: 1.529, year: 2002

In this study, BGO single crystal fibrs were successfully grown by micro-pulling-down method with resistance heating system. Considering the volatilization of bismuth, we grew fibers from two different Bi₂O₃ enriched composition. For the composition of Bi₂O₃ 2.1 molar ratio, the best single crystal fibers were obtained for pulling-down rate equal to 0.08 mm/min.

BGO je známý scintilační material. V této práci byl monokrystal BGO úspěšně připraven metodou “micro-pulling down” s odporovým systémem ohřevu. Vzhledem k volatilitě bismutu byl kystal pěstován s taveniny s přebytkem Bi2O3 (2.05 mol% Bi2O3–3mol% GeO2 and 2.1 mol% Bi2O3–3mol% GeO2). Vypěstované krystaly byly transparentní a téměř bezbarvé. BYl stanoven rozdělovací koeficient Bi a Ge
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0031915