Number of the records: 1
InAs/GaAs lasers with very thin active layer
- 1.
SYSNO ASEP 0133088 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Ostatní články Název InAs/GaAs lasers with very thin active layer Tvůrce(i) Oswald, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Hulicius, Eduard (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Melichar, Karel (FZU-D)
Šimeček, Tomislav (FZU-D)
Petříček, Otto (FZU-D) RID
Vančura, Milan (FZU-D)
Hradil, J. (CZ)Zdroj.dok. Thin Solid Films. - : Elsevier - ISSN 0040-6090
Roč. 380, - (2000), s. 233-236Poč.str. 4 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. NL - Nizozemsko Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP IAA1010807 GA AV ČR - Akademie věd GA102/99/0414 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z1010914 - FZU-D Anotace InAs/GaAs laser structures based on atomically thin InAs strained quantum wells were prepared by metal-organic vapour phase epitaxy. The dependence of electroluminescence spectra on the thickness, as well as on the number of InAs quantum wells, was studied. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2001
Number of the records: 1