Number of the records: 1
Charge screening around Si dopant atoms in GaAs by X-STM
SYS 0132494 LBL 00000nam^^22^^^^^^^^450 005 20230418210333.8 101 0-
$a eng 102 $a CZ 200 1-
$a Charge screening around Si dopant atoms in GaAs by X-STM 215 $a 4 s. 463 -1
$1 001 cav_un_epca*0256481 $1 011 $a 0011-4626 $1 200 1 $a Czechoslovak Journal of Physics $v Roč. 49, č. 11 (1999), s. 4736C-4739C $1 210 $c Springer 700 -1
$3 cav_un_auth*0100427 $a Pacherová $b Oliva $p FZU-D $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100516 $a Slezák $b Jiří $p FZU-D $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100166 $a Cukr $b Miroslav $p FZU-D $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100128 $a Bartoš $b Igor $p FZU-D $w Structure Analysis $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Number of the records: 1