Number of the records: 1  

Polycrystalline silicon thin films produced by interference laser crystallization of amorphous silicon

  1. 1.
    SYSNO ASEP0132391
    Druh ASEPJ - Článek v odborném periodiku
    Zařazení RIVJ - Článek v odborném periodiku
    Poddruh JOstatní články
    NázevPolycrystalline silicon thin films produced by interference laser crystallization of amorphous silicon
    Tvůrce(i) Rezek, Bohuslav (FZU-D) RID, ORCID
    Nebel, C. E. (DE)
    Stutzmann, M. (DE)
    Zdroj.dok.Japanese Journal of Applied Physics. - : Institute of Physics Publishing - ISSN 0021-4922
    Roč. 38, - (1999), s. 1083-1084
    Poč.str.2 s.
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.JP - Japonsko
    Vědní obor RIVBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    CEPGA202/98/0669 GA ČR - Grantová agentura ČR
    IAA1010809 GA AV ČR - Akademie věd
    PracovištěFyzikální ústav
    KontaktKristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Rok sběru2000

Number of the records: 1  

  This site uses cookies to make them easier to browse. Learn more about how we use cookies.