Number of the records: 1
Direct growth of heteroepitaxial CuInSe2 layer on Si substrates
SYS 0131791 LBL 00000nam^^22^^^^^^^^450 005 20230418210315.7 101 0-
$a eng 102 $a US 200 1-
$a Direct growth of heteroepitaxial CuInSe2 layer on Si substrates 463 -1
$1 001 cav_un_epca*0256166 $1 011 $a 0003-6951 $e 1077-3118 $1 200 1 $a Applied Physics Letters $v Roč. 65, č. 18 (1994), s. 2299-? $1 210 $c AIP Publishing 700 -1
$3 cav_un_auth*0044119 $a Tiwari $b A. N. $y CH $4 070 701 -1
$3 cav_un_auth*0044120 $a Blunier $b S. $y CH $4 070 701 -1
$3 cav_un_auth*0062914 $a Kessler $b K. $y CH $4 070 701 -1
$3 cav_un_auth*0100636 $a Železný $b Vladimír $p FZU-D $w Dielectrics $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0044124 $a Zogg $b H. $y CH $4 070
Number of the records: 1