Number of the records: 1
InAs quantum dots in GaAs. Technology and luminescence properties
SYS 0131651 LBL 00000nam^^22^^^^^^^^450 005 20240103174305.3 010 $a 0-7923-5013-8 101 0-
$a eng 102 $a NL 200 1-
$a InAs quantum dots in GaAs. Technology and luminescence properties 463 -1
$1 001 cav_un_epca*0033963 $1 200 1 $a Proceedings of the NATO Advanced Research Workshop on Heterostructure Epitaxy and Devices $v s. 207-210 $i High Technology. $1 702 1 $a Novák $b J. $4 340 $1 210 $a Dodrecht $c Kluwer Academic Publishers $d 1998 $1 225 1 $a NATO Sciences Series. 700 -1
$3 cav_un_auth*0100250 $a Hulicius $b Eduard $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100426 $a Oswald $b Jiří $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100432 $a Pangrác $b Jiří $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100384 $a Melichar $b Karel $p FZU-D $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100554 $a Šimeček $b Tomislav $p FZU-D $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0102810 $a Janda $b Pavel $p UFCH-W $w Electrochemical Materials $4 070 $T Ústav fyzikální chemie Jaroslava Heyrovského AV ČR, v. v. i.
Number of the records: 1