Number of the records: 1
GaInAs/GaAs atrained QWs prepared by LP MOVPE on misoriented substrates
SYS 0131606 LBL 00000nam^^22^^^^^^^^450 005 20200403114232.4 101 0-
$a eng 102 $a US 200 1-
$a GaInAs/GaAs atrained QWs prepared by LP MOVPE on misoriented substrates 215 $a 4 s. 463 -1
$1 200 1 $a ASDAM`98 (Conference proceedings - 2nd International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems) $v s. 159-162 $1 702 1 $a Breza $b J. $4 340 $1 702 1 $a Donoval $b D. $4 340 $1 702 1 $a Drobný $b V. $4 340 $1 702 1 $a Uherek $b F. $4 340 $1 010 $a 0-7803-4909-1 $1 210 $c IEEE $d 1998 700 -1
$3 cav_un_auth*0100250 $a Hulicius $b Eduard $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100238 $a Hospodková $b Alice $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100426 $a Oswald $b Jiří $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100432 $a Pangrác $b Jiří $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100384 $a Melichar $b Karel $p FZU-D $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100554 $a Šimeček $b Tomislav $p FZU-D $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Number of the records: 1