0105894 - URE-Y 20040131 RIV CZ eng C - Conference Paper (international conference)
Pekárek, Ladislav - Žďánský, Karel
Preparation of doped and co-doped indium phosphide single crystals.
[Příprava dopovaných a kodopovaných monokrystalů fosfidu inditého.]
Development of Materials Science in Research and Education. Proceedings of the 14th Joint Seminar. Praha: MAXDORF, 2004 - (Nitsch, K.; Rodová, M.), s. 50-51. ISBN 80-7345-032-1.
[Development of Materials Science in Research and Education - DMS-RE 2004 /14./. Lednice (CZ), 31.08.2004-03.09.2004]
R&D Projects: GA AV ČR IBS2067354
Institutional research plan: CEZ:AV0Z2067918
Keywords : crystal growth * semiconductor doping * radiation detection
Subject RIV: JB - Sensors, Measurment, Regulation

Indium phosphide crystals doped with various impurity atoms were grown by liquid encapsulation Czochralski method. The wafers of the grown crystals were characterized by resistivity an Hall measurements and their suitability for radiation detection was assessed.

Krystaly fosfidu inditého byly vypěstovány metodou Czochralského s kapalným uzávěrem. Destičky z vypěstovaných krystalů byly charakterizovány měřením rezistivity a Hallova napětí a byla zhodnocena jejich vhodnost pro radiační detekci.
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0013082