0105875 - URE-Y 20040040 RIV FR eng J - Journal Article
Žďánský, Karel - Pekárek, Ladislav - Hlídek, P.
Study of indium phosphide wafers treated by long time annealing at high temperatures.
[Studium destiček fosfidu inditého upravených dlouhodobým žíháním při vysokých teplotách.]
European Physical Journal-Applied Physics. Roč. 27, 1/3 (2004), s. 197-200. ISSN 1286-0042. E-ISSN 1286-0050.
[DRIP /10./. Batz-sur-Mer, 29.09.2003-02.10.2003]
R&D Projects: GA AV ČR IBS2067354
Institutional research plan: CEZ:AV0Z2067918
Keywords : Hall effect * deep levels * light absorption
Subject RIV: JB - Sensors, Measurment, Regulation
Impact factor: 0.745, year: 2004

High purity InP crystals were grown by liquid encapsulated Czochralski method from undoped InP melt. Wafers from the grown crystals were annealed in phosphorus ambient for 95 hours at 950^oC and cooled slowly. Conversion to semi-insulating state by annealing was studied by temperature dependent Hall measurements and low temperature optical absorption spectroscopy.

InP krystaly vysoké čistoty byly vypěstovány metodou Czochralského s kapalným uzávěrem z nedopované taveniny InP. Destičky z vypěstovaných krystalů byly žíhány při 950o C po 95 hodin ve fosforové atmosféře a pomaly zchlazeny. Na to byla studována konverse do semiizolačního stavu teplotně závislým Hallovým měřením a nízkoteplotní optickou absorpční spektroskopií.
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0013063