0105872 - URE-Y 20040037 RIV DE eng C - Conference Paper (international conference)
Procházková, Olga - Zavadil, Jiří - Žďánský, Karel - Grym, Jan
Correlation of Pr, Dy and Tb addition with physical properties of InP layers prepared by liquid phase epitaxy.
[Vliv příměsi Pr, Dy a Tb na fyzikální vlastnosti vrstev InP připravených kapalnou epitaxí.]
Proceedings 6th International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compound Semiconductor Materials & Technologies - EXMATEC'2002. Weinheim: WileyVCH Verlag, 2003 - (Stutzmann, M.), s. 950-955. Physica Status Solidi, Conferences, 0.3.2003. ISBN 3-527-40436-8.
[EXMATEC 2002 - International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compounds Semiconductor Materials & Technologies /6./. Budapest (HU), 26.05.2002-29.05.2002]
R&D Projects: GA AV ČR(CZ) KSK1010104
Keywords : rare earth compounds * semiconductors * liqiud phase epitaxial growth
Subject RIV: BM - Solid Matter Physics ; Magnetism

The characterization of InP (>10μm) layers prepared by LPE with Pr, Dy or Tb (REE) addition in the melt is reported. The conductivity has been changed from n to p type when REE exceeded certain concentration limit (0.15 wt per cent for Pr, 0.05 wt per cent for Tb and 0.03 for Dy). Comparison of PL peaks of n- and p- type conductivity laeyrs with obtained electrical data lead to conclusion that the dominant acceptor impurity for the n- and p-n type crossover is Ge for Pr addition and Mn for Tb and Dy addition.

Práce se zabývá charakterizací vrstev InP (>10μm) připravených kapalnou epitaxí s příměsí Pr, Dy a Tb (REE) v růstové tavenině. Elektrická vodivost se měnila z typu n- na p- v případě, kdy koncentrace REE přesáhla jistý limit (0.15 wt% pro Pr, 0.05 wt% pro Tb a 0.03 wt% pro Dy). Porovnáním PL spekter s elektrickým měřením pro oba typy vrstev jsme došli k závěru, že změna typu vodivosti je způsobena Ge, jestliže jako příměs byl použit Pr. V případě, kdy jako příměsi bylo použito Tb nebo Dy, změnu vodivosti způsobuje Mn.
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0013060