0104229 - FZU-D 20040571 RIV CZ eng J - Journal Article
Vaněk, J. - Čech, V. - Přikryl, R. - Zemek, Josef - Peřina, Vratislav
Basic characteristics of the a-SiOC:H thin films prepared by PE CVD.
[Charakterizace tenkých vrstev a-SiOC:H připravených metodou PECVD.]
Czechoslovak Journal of Physics. Roč. 54, Suppl. C (2004), s. C937-C942. ISSN 0011-4626
R&D Projects: GA MŠMT ME 597; GA MŠMT OC 527.110; GA ČR GA104/03/0236
Institutional research plan: CEZ:AV0Z1010914
Keywords : vinyltriethoxysilane * thin film * PECVD
Subject RIV: BM - Solid Matter Physics ; Magnetism
Impact factor: 0.292, year: 2004

Hydrogenated amorphous silicon oxycarbide (a-SiOC:H) thin films were deposited on silicon wafers from vinyltriethoxysilane(VTES) precursor. The elemental comosition of thin films were studied by conventional and resonant Rutherford Bacscattering Spectrometry (RBS) and Elastic Recoil Detection Analysis (ERDA) methods. The Si, C. and O bulk content was correlated with surface one determined from analyses of the photoelectron spectra using XPS

Tenké vrstvy hydrogenovaného amorfního oxikarbidu křemíku (a-SiOC:H) byly deponovány na křemíkové podložky z prekurzoru VTES. Složení tenkých vrstev bylo studováno běžnou a resonanční metodou RBS a ERDA. Objemové koncentrace Si, C a O byly porovnány s povrchově citlivými údaji z XPS
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0000148