Number of the records: 1
Měření elektro-optických vlastností kvantově-rozměrových struktur na bázi InAs/GaAs - fotoproud a elektroluminiscence
- 1.
SYSNO ASEP 0102453 Document Type C - Proceedings Paper (int. conf.) R&D Document Type Conference Paper Title Měření elektro-optických vlastností kvantově-rozměrových struktur na bázi InAs/GaAs - fotoproud a elektroluminiscence Title Measurement of electro-optical properties of quantum-size structures based on InAs/GaAs - photocurrent and electroluminescence Author(s) Mačkal, Adam (FZU-D)
Hazdra, P. (CZ)
Hulicius, Eduard (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Oswald, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Melichar, Karel (FZU-D)
Hospodková, Alice (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Šimeček, Tomislav (FZU-D)Source Title Optické vlastnosti pevných látek v základním výzkumu a aplikacích. - Brno : Masarykova Univerzita v Brně, 2003 Pages s. 18-19 Number of pages 2 s. Action Optické vlastnosti pevných látek v základním výzkumu a aplikacích /10./ Event date 23.06.2003-25.06.2003 VEvent location Brno Country CZ - Czech Republic Event type EUR Language cze - Czech Country CZ - Czech Republic Keywords thin strained quantum well ; InAs ; GaAs ; TE ; TM ; polarisation ; electroluminescence ; photoabsorption ; elevated temperature Subject RIV BH - Optics, Masers, Lasers R&D Projects KSK1010104 GA AV ČR - Academy of Sciences of the Czech Republic (AV ČR) IAA1010318 GA AV ČR - Academy of Sciences of the Czech Republic (AV ČR) CEZ AV0Z1010914 - FZU-D MSM 212300014 Annotation Měření absorpce a elektroluminiscence polovodičových laserů a struktur s tenkými napnutými InAs vrstvami v GaAs při různých polarizačních teplotách. Lasery vykazují vysokou účinnost a nízkou prahovou proudovou hustotu a mohou pracovat při teplotách vyšších než 100řC. Description in English Contribution presents the electroluminescence, photoabsorption and polarization properties of semiconductor lasers with thin strained InAs layers in GaAs at elevated temperatures. The lasers exhibit high optical recombination efficiency, low threshold current density and wide temperature operation range (above 100řC). Workplace Institute of Physics Contact Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Year of Publishing 2005
Number of the records: 1