0102453 - FZU-D 20040504 RIV CZ cze C - Conference Paper (international conference)
Mačkal, Adam - Hazdra, P. - Hulicius, Eduard - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Melichar, Karel - Hospodková, Alice - Šimeček, Tomislav
Měření elektro-optických vlastností kvantově-rozměrových struktur na bázi InAs/GaAs - fotoproud a elektroluminiscence.
[Measurement of electro-optical properties of quantum-size structures based on InAs/GaAs - photocurrent and electroluminescence.]
Optické vlastnosti pevných látek v základním výzkumu a aplikacích. Brno: Masarykova Univerzita v Brně, 2003, s. 18-19.
[Optické vlastnosti pevných látek v základním výzkumu a aplikacích /10./. Brno (CZ), 23.06.2003-25.06.2003]
R&D Projects: GA AV ČR KSK1010104; GA AV ČR IAA1010318
Institutional research plan: CEZ:AV0Z1010914; CEZ:MSM 212300014
Keywords : thin strained quantum well * InAs * GaAs * TE * TM * polarisation * electroluminescence * photoabsorption * elevated temperature
Subject RIV: BH - Optics, Masers, Lasers

Měření absorpce a elektroluminiscence polovodičových laserů a struktur s tenkými napnutými InAs vrstvami v GaAs při různých polarizačních teplotách. Lasery vykazují vysokou účinnost a nízkou prahovou proudovou hustotu a mohou pracovat při teplotách vyšších než 100řC.

Contribution presents the electroluminescence, photoabsorption and polarization properties of semiconductor lasers with thin strained InAs layers in GaAs at elevated temperatures. The lasers exhibit high optical recombination efficiency, low threshold current density and wide temperature operation range (above 100řC).
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0009802