Number of the records: 1
Influence of growth rate on charge transport in GaSb homojunctions prepared by metalorganic vapor phase epitaxy
SYS 0100050 LBL 00000nam^^22^^^^^^^^450 005 20230418205459.3 101 0-
$a eng 102 $a US 200 1-
$a Influence of growth rate on charge transport in GaSb homojunctions prepared by metalorganic vapor phase epitaxy 215 $a 5 s. 463 -1
$1 001 cav_un_epca*0256872 $1 011 $a 0021-8979 $e 1089-7550 $1 200 1 $a Journal of Applied Physics $v Roč. 95, č. 4 (2004), s. 1811-1815 $1 210 $c AIP Publishing 541 $a Vliv rychlosti růstu na transport náboje v homogenních přechodech z GaSb připravených epitaxí z organokovů $z cze 610 1-
$a GaSb 610 1-
$a p-n homojunction 610 1-
$a charge transport 610 1-
$a native defects 700 -1
$a Kindl $b Dobroslav $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $3 cav_un_auth*0100287 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$a Toušková $b J. $y CZ $4 070 $3 cav_un_auth*0016163 701 -1
$a Hulicius $b Eduard $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $3 cav_un_auth*0100250 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$a Pangrác $b Jiří $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $3 cav_un_auth*0100432 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$a Šimeček $b Tomislav $p FZU-D $4 070 $3 cav_un_auth*0100554 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$a Jurka $b Vlastimil $p FZU-D $4 070 $3 cav_un_auth*0107489 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$a Hubík $b Pavel $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $3 cav_un_auth*0100246 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100372 $a Mareš $b Jiří J. $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$a Krištofik $b Jozef $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $3 cav_un_auth*0100327 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Number of the records: 1