Lasers with thin strained InAs layers in GaAs - electroluminescence and photoabsorption at elevated temperatures

0100043 - FZU-D 20040019 RIV CZ eng K - Conference Paper (Czech conference)
Mačkal, Adam - Hazdra, P. - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří - Melichar, Karel
Lasers with thin strained InAs layers in GaAs - electroluminescence and photoabsorption at elevated temperatures.
[Lasery s napjatými tenkými InAs vrstvami v GaAs - elektroluminiscence a fotoabsorpce při zvýšených teplotách.]
Workshop 2003. Praha: ČVUT, 2003, s. 446-447.
[Workshop 2003. Praha (CZ), 10.02.2003-12.02.2003]
R&D Projects: GA AV ČR IAA1010318
Institutional research plan: CEZ:MSM 212300014
Keywords : quantum well * InAs * GaAs * electroluminescence * photoabsorption * elevated temperature
Subject RIV: BM - Solid Matter Physics ; Magnetism

Electro-optical characterisation of semiconductor lasers with very thin strained InAs layers in GaAs. The lasers exhibit high optical recombination efficiency, low threshold current and capability to operate at elevated temperatures

Elektrooptická charakterizace polovodičových laserů s velmi tenkými napjatými InAs vrstvami v GaAs. Lasery vykazují vysokou účinnost zářivé rekombinace, nízké prahové proudy a jsou schopné pracovat při zvýšených teplotách
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0007551