Number of the records: 1
Studium struktury a růstu nizkoteplotního protokrystalického křemíku pomocí AFM mikroskopu
- 1.
SYSNO ASEP 0100037 Document Type J - Journal Article R&D Document Type Journal Article Subsidiary J Ostatní články Title Studium struktury a růstu nizkoteplotního protokrystalického křemíku pomocí AFM mikroskopu Title Influence of film thickness, silane concentration and substrate temperature on structure and electrical properties of thin film protocrystalline silicon Author(s) Mates, Tomáš (FZU-D) RID, ORCID
Fejfar, Antonín (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Drbohlav, Ivo (FZU-D) RID, ORCID
Rezek, Bohuslav (FZU-D) RID, ORCID
Fojtík, Petr (FZU-D)
Luterová, Kateřina (FZU-D)
Pelant, Ivan (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Kočka, Jan (FZU-D) RID, ORCID, SAISource Title Československý časopis pro fyziku. - : Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. - ISSN 0009-0700
Roč. 53, - (2003), s. 93-96Number of pages 4 s. Language cze - Czech Country CZ - Czech Republic Keywords PECVD ; microcrystalline silicon ; AFM Subject RIV BM - Solid Matter Physics ; Magnetism R&D Projects IAA1010809 GA AV ČR - Academy of Sciences of the Czech Republic (AV ČR) IAB2949101 GA AV ČR - Academy of Sciences of the Czech Republic (AV ČR) CEZ AV0Z1010914 - FZU-D Annotation Studium vlivu tlouštky vrstvy, koncentrace silanu a teploty substrátu na strukturu a elektrické vlastnosti tenkých vrstev mikrokrystalického křemíku, připraveného pomocí PECVD. Description in English Study of influence of film thickness, silane concentration and substrate temperature on structure and electrical properties of thin microcrystalline siliconfilms by PECVD is presented. Workplace Institute of Physics Contact Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Year of Publishing 2005
Number of the records: 1