InP layers grown from Pr treated melts

0088219 - ÚFE 2008 DE eng A - Abstract
Grym, Jan - Procházková, Olga - Zavadil, Jiří - Žďánský, Karel
InP layers grown from Pr treated melts.
[Vrstvy InP připravené z taveniny obasahující Pr.]
DRIP-XII 2007:12th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors. Programme & Abstracts. Berlin: [Forschungsverbund Berlin], 2007. s. 130--.
[DRIP /12./. 09.09.2007-13.09.2007, Berlin]
R&D Projects: GA ČR GA102/06/0153
Institutional research plan: CEZ:AV0Z20670512
Keywords : semiconductor technology * rare earth compounds * III-V semiconductors
Subject RIV: JJ - Other Materials

We demonstrate the gettering effect of rare-earth elements (REs) on InP LPE layers prepared from Pr treated melts. The role of growth conditions, particularly (i) the growth temperature, (ii) the cooling rate, (iii) the growth time, and (iv) the method of the growth melt preparation was investigated together with varying RE content in the melt. Admixtures of Pr (i) provoke conductivity conversion at low concentration, (ii) do not influence the growth rate, and (iii) lead to a good surface morphology.

Názorně ukazujeme getrační efekt prvků vzácných zemin (REs) na vrstvy InP připravené kapalnou epitaxí z taveniny s přídavkem Pr. Zkoumali jsme vliv růstových podmínek, zejména: a) růstové teploty, b) rychlosti ochlazování, c) doby růstu a d) způsobu přípravy spolu s různými koncentracemi RE v tavenině na vrstvy InP. Přídavky Pr a) vyvolávají změnu vodivostního typu při nízkých koncentracích, b) neovlivňují rychlost růstu a c) vedou k dobré povrchové morfologii vrstev.
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0149823