Number of the records: 1  

Si3Nx fázová destička pokrytá vodivou vrstvou

  1. 1.
    0566394 - ÚPT 2023 RIV CZ cze L - Prototype, f. module
    Sháněl, O. - Schneider, M. - Řiháček, Tomáš - Radlička, Tomáš
    Si3Nx fázová destička pokrytá vodivou vrstvou.
    [Si3Nx phase plates covered by conductive layer.]
    Internal code: APL-2022-15 ; 2022
    Technical parameters: Křemíkový čip nesoucí tenkou nitridovou membránu, která je pokrytá tenkou vodivou molybdenovou vrstvou. Otvor membrány je čtvercového tvaru o rozměru 100×100 µm. Z membrány je vytvořena fázová destička tím, že je v jejím středu udělaný otvor optimalizovaných rozměrů pomoci technologie fokusovaného iontového svazku. Tloušťka molybdenové vrstvy je optimalizovaná pro výsledný fázový posuv pi/2. Součástí funkčního vzorku je modifikovaný držák apertur, který umožňuje její umístění do zadní ohniskové roviny transmisního elektronového mikroskopu.
    Economic parameters: Funkční vzorek realizovaný při řešení grantu, s předpokladem smluvního využití s vědeckým a ekonomickým přínosem i po jeho ukončení. Kontakt: Mgr. Tomáš Radlička, Ph.D.
    R&D Projects: GA TA ČR(CZ) TN01000008
    Institutional support: RVO:68081731
    Keywords : transmission electron microscopy * phase plate * silicon nitride * thin layers
    OECD category: Electrical and electronic engineering

    Fázová destička z nitridu křemíku slouží ke změně fáze procházejících vysokoenergetických elektronů. Nosným substrátem tenké membrány je křemíkový čip. Membrána je pokrytá tenkou vodivou molybdenovou vrstvou jejíž tloušťka je optimalizovaná pro výsledný fázový posuv pi/2. Ve středu membrány je vytvořený otvor pomoci technologie FIB/SEM, tak abychom zajistili, že nulový difrakční řád projde fázovou destičkou bez změny fáze. Součástí funkčního vzorku je modifikovaný držák apertur, který umožní umístění fázové destičky do zadní ohniskové roviny bez podpůrné platinové slonky.

    Silicon nitride phase plate serves as a phase shift element for high-energy electrons. Silicon is a supporting substrate for a thin membrane, which is covered by a thin molybdenum layer with thickness optimized so that the final phase shift of the phase plate is pi/2. We made a micrometer size hole in the middle of the membrane with FIB/SEM technology to guarantee that the phase of zero-order diffraction is not changed. The functional sample also covers the modified aperture holder, which enables placing the phase plate to the back-focal plane of the transmission electron microscope without the supporting aperture.
    Permanent Link: https://hdl.handle.net/11104/0337734

     
     
Number of the records: 1  

  This site uses cookies to make them easier to browse. Learn more about how we use cookies.