Number of the records: 1
Si3Nx fázová destička
- 1.
SYSNO ASEP 0550697 Document Type L - Prototype, Functional Specimen R&D Document Type Prototype, Functional Specimen RIV Subspecies Functional Specimen Title Si3Nx fázová destička Title Si3Nx phase plates Author(s) Sháněl, O. (CZ)
Schneider, M. (CZ)
Materna Mikmeková, Eliška (UPT-D) ORCID, RID, SAI
Řiháček, Tomáš (UPT-D) RID, ORCID
Podstránský, Jáchym (UPT-D)
Radlička, Tomáš (UPT-D) RID, ORCID, SAIYear of issue 2021 Int.Code APL-2021-05 Technical parameters Křemíkový čip nesoucí tenkou nitridovou membránu. Rozměr (Okénko v křemíkovém čipu) membrány je čtvercového tvaru o rozměru 100×100 µm. Tloušťka membrány je optimalizovaná tak, aby v posouvala fázi procházejícího svazku o pi/2. Čip je upevněný na platinové clonce o průměru 3 mm a ve středu clonky je malý otvor o rozměrech v jednotkách µm, který byl vytvořen pomoci FIB/SEM, tak aby odpovídal velikosti nultého řádu difrakce v zadní objektivové rovině. Economic parameters Funkční vzorek realizovaný při řešení grantu, s předpokladem smluvního využití s vědeckým a ekonomickým přínosem i po jeho ukončení. Kontakt: Mgr. Tomáš Radlička, Ph.D., radlicka@isibrno.cz. Owner Name Ústav přístrojové techniky AV ČR, v. v. i., ThermoFisher Scientific Brno, s.r.o. Registration Number of the result owner 68081731 Applied result category by the cost of its creation A - Vyčerpaná část nákladů <= 5 mil. Kč License fee fee Z - Poskytovatel licence nepožaduje v některých případech licenční poplatek Internal identification code of the product assigned by its creator, Regulation no., APL-2021-05 Language cze - Czech Country CZ - Czech Republic Keywords transmission electron microscopy ; phase plate ; silicon nitride ; thin layers Subject RIV JA - Electronics ; Optoelectronics, Electrical Engineering OECD category Electrical and electronic engineering R&D Projects TN01000008 GA TA ČR - Technology Agency of the Czech Republic (TA ČR) Institutional support UPT-D - RVO:68081731 Annotation Fázová destička z nitridu křemíku slouží ke změně fáze procházejících vysokoenergetických elektronů. Nosným substrátem tenké membrány je křemíkový čip připevněný na platinovou nebo zlatou clonku, která zároveň odstiňuje nežádoucí elektrony. Ve středu membrány je vytvořený otvor (pomocí technologie FIB/SEM), tak abychom zajistili, že nulový difrakční řád projde fázovou destičkou bez změny fáze. Description in English Silicon nitride phase plate serves as a phase shift element for high-energy electrons. Silicon is a supporting substrate for a thin membrane that is glued to a platinum or gold aperture. The aperture eliminates unwanted electrons. We made a micrometer size hole in the middle of the membrane (we used FIB/SEM technology) to guarantee that the phase of zero-order of the diffraction is not changed. Workplace Institute of Scientific Instruments Contact Martina Šillerová, sillerova@ISIBrno.Cz, Tel.: 541 514 178 Year of Publishing 2022
Number of the records: 1