Number of the records: 1
Interface engineering for improved growth of GaSb on Si(111)
SYS 0370546 LBL 01850^^^^^2200385^^^450 005 20240103200200.4 014 $a 000292175000101 $2 WOS 017 $a 10.1016/j.jcrysgro.2010.11.167 $2 DOI 100 $a 20120105d m y slo 03 ba 101 0-
$a eng 102 $a NL 200 1-
$a Interface engineering for improved growth of GaSb on Si(111) 215 $a 4 s. 463 -1
$1 001 cav_un_epca*0256941 $1 011 $a 0022-0248 $e 1873-5002 $1 200 1 $a Journal of Crystal Growth $v Roč. 213, č. 1 (2011), 401-404 $1 210 $c Elsevier 610 0-
$a defects 610 0-
$a RHEED 610 0-
$a XRD 610 0-
$a MBE 610 0-
$a antimonides 610 0-
$a III-V semiconductors 700 -1
$3 cav_un_auth*0268169 $a Proessdorf $b A. $y DE $4 070 701 -1
$3 cav_un_auth*0246886 $a Grosse $b F. $y DE $4 070 701 -1
$3 cav_un_auth*0100644 $a Romanyuk $b Olexandr $i Optické materiály $j Optical Materials $p FZU-D $w Optical Materials $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0246878 $a Braun $b W. $y DE $4 070 701 -1
$3 cav_un_auth*0278009 $a Jenichen $b B. $y DE $4 070 701 -1
$3 cav_un_auth*0278010 $a Trampert $b A. $y DE $4 070 701 -1
$3 cav_un_auth*0268170 $a Riechert $b H. $y DE $4 070
Number of the records: 1