Number of the records: 1
Simulace proudění plynů a distribuce teploty v mikro-reaktoru
- 1.
SYSNO ASEP 0560200 Document Type O - Others R&D Document Type Others Title Simulace proudění plynů a distribuce teploty v mikro-reaktoru Title Simulation of gas flow and sample temperature distribution in the micro-reactor device Author(s) Neděla, Vilém (UPT-D) RID, ORCID, SAI
Maxa, Jiří (UPT-D)
Šabacká, Pavla (UPT-D)
Novák, L. (CZ)Year of issue 2021 Language cze - Czech Country CZ - Czech Republic Keywords simulation ; gas flow ; distribution of temperature ; micro-reactor Subject RIV JA - Electronics ; Optoelectronics, Electrical Engineering OECD category Electrical and electronic engineering R&D Projects TN01000008 GA TA ČR - Technology Agency of the Czech Republic (TA ČR) Institutional support UPT-D - RVO:68081731 Annotation NEDĚLA, V., MAXA, J., ŠABACKÁ, P., NOVÁK, L. Simulace proudění plynů a distribuce teploty v mikro-reaktoru. Brno : Ústav přístrojové techniky AV ČR, 2021. Na základě první série analýz byly provedeny další analýzy, které prokázaly velký vliv fyzikálních vlastností zkoumaného vzorku. U hodnot tepelné vodivosti dosahující 400 V/m.K, dochází ke spolehlivému prohřátí vzorku charakteru krychle po celém objemu i přes nedokonalé spojení styčné plochy vzorku s chipem pro ohřev. Naopak u nízkých hodnot v řádu jednotek V/m.K, nejen že vzorek není prohřátý v celém objemu, a horní část je chladnější, ale při nedokonalém spojení styčné plochy s chipem může dosahovat rozdíl mezi spodní a horní částí až 100 °C. Description in English NEDĚLA, V., MAXA, J., ŠABACKÁ, P., NOVÁK, L. Simulace proudění plynů a distribuce teploty v mikro-reaktoru. Brno : Ústav přístrojové techniky AV ČR, 2021. Based on the first series of analyses, further analyses were performed which showed a large influence of the physical properties of the sample under study. For thermal conductivity values reaching 400 V/m.K, there is a reliable heating of the cube-like sample over the entire volume despite the imperfect connection of the sample contact surface with the heating chip. Conversely, at low values in the order of units of V/m.K, not only is the sample not heated throughout the volume, and the upper part is cooler, but the difference between the lower and upper parts can be as much as 100 °C if the contact surface with the chip is imperfect. Workplace Institute of Scientific Instruments Contact Martina Šillerová, sillerova@ISIBrno.Cz, Tel.: 541 514 178 Year of Publishing 2023
Number of the records: 1