Number of the records: 1

SMV-2020-24: Vývoj testovacích preparátů pro REM

SYSNO ASEP	0536030
Document Type	V - Research Report
R&D Document Type	The record was not marked in the RIV
Title	SMV-2020-24: Vývoj testovacích preparátů pro REM
Title	SMV-2020-24: Development of test specimens for SEM
Author(s)	Matějka, Milan (UPT-D)_{RID, ORCID, SAI} Horáček, Miroslav (UPT-D)_{RID, ORCID, SAI} Meluzín, Petr (UPT-D)_{RID, ORCID, SAI} Chlumská, Jana (UPT-D)_{RID, ORCID, SAI} Král, Stanislav (UPT-D)_{RID, SAI} Kolařík, Vladimír (UPT-D)_{RID, ORCID, SAI} Krátký, Stanislav (UPT-D)_{RID, ORCID, SAI} Knápek, Alexandr (UPT-D)_{RID, ORCID, SAI}
Number of authors	8
Issue data	Brno: Delong Instruments, a.s., 2020
Number of pages	7 s.
Publication form	Print - P
Language	cze - Czech
Country	CZ - Czech Republic
Keywords	relief structure: e-beam lithography ; relief structure: silicon etching ; silicon etching ; microlithography
Subject RIV	BH - Optics, Masers, Lasers
Next source	Non-public resources
Annotation	Vývoj přesných reliéfních struktur v křemíku určených pro testování zobrazování v rastrovacích elektronových mikroskopech (REM). Pro přípravu preparátů byly využity mikro litografické techniky opracování křemíku. Byly vyvinuty přípravky pro technologické operace depozice rezistu a pro operace leptání. Optimalizace bylo dosaženo i v oblasti transferu reliéfní struktury do křemíkové podložky při anizotropním leptání, díky modifikacím leptací aparatury. Pro kontrolu a vyhodnocení jakosti čipů mezi jednotlivými technologickými operacemi byly vyvinuty standardizované postupy.
Description in English	Development in the field realization of precise relief structures in the silicon dedicated to the testing of the scanning electron microscopes (SEM) deflection field and accuracy. Micro-lithographic techniques for the recording of patterns in the silicon were used. New tools for handling during technological operations of resist deposition and etching were developed. Optimization was reached in the process of transfer of the relief structure into silicon via anisotropic etching, due modification of etching apparatus. Standardized procedures for inspection and quality control were developed.
Workplace	Institute of Scientific Instruments
Contact	Martina Šillerová, sillerova@ISIBrno.Cz, Tel.: 541 514 178
Year of Publishing	2021

Number of the records: 1