Number of the records: 1  

Kvantitativní studium hustoty rozložení dopantu v polovodiči pomocí emise sekundárních elektronů

  1. 1.
    SYSNO0050991
    TitleKvantitativní studium hustoty rozložení dopantu v polovodiči pomocí emise sekundárních elektronů
    TitleQuantitative 2D dopant profiling in semiconductor by the secondary electron emission
    Author(s) Mika, Filip (UPT-D) RID, SAI, ORCID
    Source Title PDS 2006 - Sborník prací doktorandů oboru Elektronová optika. S. 33-36. - Brno : ÚPT AV ČR, 2006
    Conference PDS 2006, Brno, 19.12.2006
    Document TypeKonferenční příspěvek (tuzemská konf.)
    CEZAV0Z20650511 - UPT-D (2005-2011)
    Languagecze
    Keywords semiconductor structure * doping density * contrast
    Permanent Linkhttp://hdl.handle.net/11104/0140993
     
Number of the records: 1  

  This site uses cookies to make them easier to browse. Learn more about how we use cookies.