Number of the records: 1
Kvantitativní studium hustoty rozložení dopantu v polovodiči pomocí emise sekundárních elektronů
- 1.
SYSNO ASEP 0050991 Document Type K - Proceedings Paper (Czech conf.) R&D Document Type The record was not marked in the RIV Title Kvantitativní studium hustoty rozložení dopantu v polovodiči pomocí emise sekundárních elektronů Title Quantitative 2D dopant profiling in semiconductor by the secondary electron emission Author(s) Mika, Filip (UPT-D) RID, SAI, ORCID Source Title PDS 2006 - Sborník prací doktorandů oboru Elektronová optika. - Brno : ÚPT AV ČR, 2006 - ISBN 80-239-7957-4
S. 33-36Number of pages 4 s. Action PDS 2006 Event date 19.12.2006 VEvent location Brno Country CZ - Czech Republic Event type CST Language cze - Czech Keywords semiconductor structure ; doping density ; contrast Subject RIV JA - Electronics ; Optoelectronics, Electrical Engineering CEZ AV0Z20650511 - UPT-D (2005-2011) Annotation Práce je zaměřena na studium jedné technologické vrstvy polovodičové struktury s ohraničenými dopovanými oblastmi pomocí rastrovacího mikroskopu s pomalými elektrony ve standardních vakuových podmínkách. Cílem je nalezení optimálních podmínek zobrazení dopovaných oblastí a získání závislosti mezi kontrastem a hustotou příměsí. Description in English The topic of work is study of semiconductor structure with defined doped areas by SEM with slow electrons, under standard vacuum conditions.The aim is to find optimal conditions of imaging doped areas and find out the dependence between contrast and doping density. Workplace Institute of Scientific Instruments Contact Martina Šillerová, sillerova@ISIBrno.Cz, Tel.: 541 514 178 Year of Publishing 2007
Number of the records: 1