Number of the records: 1  

SMV-2021-03: Vývoj testovacích preparátů pro REM

  1. 1.
    SYSNO ASEP0545142
    Document TypeV - Research Report
    R&D Document TypeV - Research Report
    TitleSMV-2021-03: Vývoj testovacích preparátů pro REM
    TitleSMV-2021-03: Development of test specimens for SEM
    Author(s) Matějka, Milan (UPT-D) RID, ORCID, SAI
    Horáček, Miroslav (UPT-D) RID, ORCID, SAI
    Chlumská, Jana (UPT-D) RID, ORCID, SAI
    Kolařík, Vladimír (UPT-D) RID, ORCID, SAI
    Krátký, Stanislav (UPT-D) RID, ORCID, SAI
    Issue dataBrno: Tescan Brno, s.r.o., 2021
    Number of pages6 s.
    Publication formPrint - P
    Languagecze - Czech
    CountryCZ - Czech Republic
    Keywordsrelief structure ; e-beam lithography ; silicon etching ; microlithography
    Subject RIVBH - Optics, Masers, Lasers
    OECD categoryOptics (including laser optics and quantum optics)
    Next sourceNon-public resources
    AnnotationVýzkum, vývoj a realizace rozměrově přesných vzorků s reliéfními strukturami. Vzorky jsou určeny pro kalibraci parametrů rastrovacích elektronových mikroskopů (REM). Motivy struktur umožňují kontrolu a kalibraci zvětšení, pravoúhlosti a geometrického zkreslení. Byly vyvinuty přípravky pro technologické operace depozice a rezistu a pro operace leptání. Optimalizace bylo dosaženo i v oblasti transferu reliéfní struktury do křemíkové podložky při anizotropním leptání, díky modifikacím leptací aparatury. Pro kontrolu a vyhodnocení jakosti čipů mezi jednotlivými technologickými operacemi byly vyvinuty standardizované postupy.
    Description in EnglishResearch and development of accurate calibration samples with relief structures. The samples are intended for parameter calibration of scanning electron microscope (SEM). Testing patterns allow to check and calibrate magnification, orthogonality and geometric distortion. New tools for handling during technological operations of resist deposition and etching were developed. Optimization was reached in the process of transfer of the relief structure into silicon via anisotropic etching, due modification of etching apparatus. Standardized procedures for inspection and quality control were developed.
    WorkplaceInstitute of Scientific Instruments
    ContactMartina Šillerová, sillerova@ISIBrno.Cz, Tel.: 541 514 178
    Year of Publishing2022
Number of the records: 1  

  This site uses cookies to make them easier to browse. Learn more about how we use cookies.