Number of the records: 1
Plazmochemické leptání křemíku v zařízení Diener nano
- 1.
SYSNO ASEP 0429848 Document Type J - Journal Article R&D Document Type Journal Article Subsidiary J Článek ve WOS Title Plazmochemické leptání křemíku v zařízení Diener nano Title Plasmochemical Etching of Silicon in Diener Nano Device Author(s) Urbánek, Michal (UPT-D) RID
Krátký, Stanislav (UPT-D) RID, ORCID, SAI
Matějka, Milan (UPT-D) RID, ORCID, SAI
Kolařík, Vladimír (UPT-D) RID, ORCID, SAI
Horáček, Miroslav (UPT-D) RID, ORCID, SAINumber of authors 5 Source Title Chemické listy. - : Česká společnost chemická - ISSN 0009-2770
Roč. 108, č. 6 (2014), s. 592-595Number of pages 4 s. Language cze - Czech Country CZ - Czech Republic Keywords plasmochemical etching ; silicon ; etching rate ; selectivity Subject RIV JA - Electronics ; Optoelectronics, Electrical Engineering R&D Projects LO1212 GA MŠMT - Ministry of Education, Youth and Sports (MEYS) UT WOS 000344828700006 EID SCOPUS 84904768231 Annotation Jedním z klíčových procesů při výrobě mikro a nanostruktur je opracování povrchů různých materiálů. K opracování povrchu materiálu lze použít metod suchého leptání, jejichž rozvoj nastal s vyššími nároky na leptací techniky kvůli miniaturizaci v mikro a nanotechnologiích. Za jednu z nejpoužívanějších metod pro zápis mikroa nanostruktur ve výzkumu se v současnosti považuje elektronová litografie. K dalšímu zpracování vytvářených struktur se pak používá suché leptání využívající ionizovaného plynu (plazmatu). Techniky suchého leptání se rozdělují podle mechanismu na tři základní skupiny: chemické, fyzikální a chemicko-fyzikální. Z hlediska selektivity leptání se jako vhodný jeví první z uvedených mechanismů, založený na chemické reakci mezi částicemi, které vzniknou ionizací plynu (leptadla) a částicemi leptaného materiálu. Tento proces pak bývá označován jako plazmochemické leptání. Description in English This article deals with plasma etching of Si in a CF4/O2 mixture. This is a common way of Si etching used in micro- and nanofabrication. We determined important parameters such as etching rates and selectivity of Si and PMMA of the process. Experimental part was carried out on plasma system Diener nano. Workplace Institute of Scientific Instruments Contact Martina Šillerová, sillerova@ISIBrno.Cz, Tel.: 541 514 178 Year of Publishing 2015
Number of the records: 1