Time-resolved measurements of optical gain and photoluminescence in silicon nanocrystals

0332027 - FZÚ 2010 RIV IS eng A - Abstract
Dohnalová, Kateřina - Kůsová, Kateřina - Cibulka, Ondřej - Ondič, Lukáš - Pelant, Ivan
Time-resolved measurements of optical gain and photoluminescence in silicon nanocrystals.
[Časově rozlišená měření optického zisku a fotoluminiscence v křemíkových nanokrystalech.]
Nordic Semiconductor Meeting 2009. Reykjavik: University of Iceland, 2009. s. 21-21. ISBN N.
[Nordic Semiconductor Meeting NSM 2009 /23./. 14.06.2009-17.06.2009, Reykjavik]
R&D Projects: GA AV ČR(CZ) IAA101120804; GA MŠMT LC510; GA AV ČR KJB100100903; GA ČR GA202/07/0818
Institutional research plan: CEZ:AV0Z10100521
Keywords : silicon nanocrystals * optical gain
Subject RIV: BM - Solid Matter Physics ; Magnetism
http://nsm.raunvis.hi.is/NSM/Welcome_files/AbstractBook.pdf

We performed time-resolved photoluminescence and optical gain spectroscopy in small Si-ncs (core diameter of 2-3 nm) embedded at very high densities in an SiO2 based sol-gel matrix. Optical gain was studied separately from both observed emission components - the F-band peaking at 430 nm, decaying in ns scale and the S-band at 620 nm, decaying in microsecond scale.

Prezentujeme časově rozlišená měření spektroskopie optického zisku v malých křemíkových nanokrystalech zabudovaných ve vysokých hustotách do SiO2 matrice. Optický zisk je studován odděleně na obou emisních složkách - F-bandu na 430 nm v nanosekundové škále a S-bandu na 620 nm v mikrosekundové škále.
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0177385