Možnosti zobrazení dopovaných křemíkových struktur v PEEM a LVSEM

Number of the records: 1

1.

SYSNO ASEP	0308431
Document Type	K - Proceedings Paper (Czech conf.)
R&D Document Type	The record was not marked in the RIV
Title	Možnosti zobrazení dopovaných křemíkových struktur v PEEM a LVSEM
Title	Imaging of doped silicon structures using PEEM and LVSEM
Author(s)	Hovorka, Miloš (UPT-D) Mika, Filip (UPT-D)_{RID, SAI, ORCID} Frank, Luděk (UPT-D)_{RID, SAI, ORCID}
Source Title	Mikroskopie 2008. - Praha : Československá mikroskopická společnost, 2008 / Frank Luděk - ISBN N S. 21
Number of pages	1 s.
Action	Mikroskopie 2008
Event date	07.02.2008-08.02.2008
VEvent location	Nové Město na Moravě
Country	CZ - Czech Republic
Event type	EUR
Language	cze - Czech
Country	CZ - Czech Republic
Keywords	dopants ; PEEM ; SEM ; silicon
Subject RIV	JA - Electronics ; Optoelectronics, Electrical Engineering
CEZ	AV0Z20650511 - UPT-D (2005-2011)
Annotation	Studium dotovaných křemíkových struktur s využitím fotoemisní mikroskopie a nízkonapěťové rastrovací elektronové mikroskopie.
Description in English	Study of doped silicon structures using photoemission electron microscopy and low-voltage scanning electron microscopy.
Workplace	Institute of Scientific Instruments
Contact	Martina Šillerová, sillerova@ISIBrno.Cz, Tel.: 541 514 178
Year of Publishing	2008

Number of the records: 1