Number of the records: 1  

Highly Sensitive Plasmonic Structures Utilizing a Silicon Dioxide Overlayer

  1. 1.
    SYSNO0561882
    TitleHighly Sensitive Plasmonic Structures Utilizing a Silicon Dioxide Overlayer
    Author(s) Chylek, J. (CZ)
    Maniaková, P. (SK)
    Hlubina, P. (CZ)
    Sobota, Jaroslav (UPT-D) RID, ORCID, SAI
    Pudiš, D. (SK)
    Corespondence/seniorChylek, J. - Korespondující autor
    Hlubina, P. - Korespondující autor
    Source Title Nanomaterials. Roč. 12, č. 18 (2022). - : MDPI
    Article number3090
    Document TypeČlánek v odborném periodiku
    Institutional supportUPT-D - RVO:68081731
    Languageeng
    CountryCH
    Keywords surface plasmon resonance * Kretschmann configuration * silicon dioxide overlayer * reflectance * aqueous analyte sensing
    Cooperating institutions Vysoká škola báňská – Technická univerzita Ostrava, Fakulta elektrotechniky a informatiky (Czech Republic)
    Žilinská univerzita v Žiline, Fakulta elektrotechniky a informačných technológií (Slovakia)
    URLhttps://www.mdpi.com/2079-4991/12/18/3090
    Permanent Linkhttps://hdl.handle.net/11104/0335270
     
Number of the records: 1  

  This site uses cookies to make them easier to browse. Learn more about how we use cookies.