Number of the records: 1
SIMS studies of MOVPE GaN/InGaN scintilator nano-structures
SYS 0539244 LBL 01000a^^22220027750^450 005 20240103225350.7 017 $2 DOI 100 $a 20210204d m y slo 03 ba 101 $a eng 102 $a CZ 200 1-
$a SIMS studies of MOVPE GaN/InGaN scintilator nano-structures 215 $a 1 s. $c E 300 $a do RIV jako O 463 -1
$1 001 cav_un_epca*0539245 $1 010 $a 978-80-87294-94-9 $1 200 1 $a Proceedings of Abstracts - Nanocon 2019 $v S. 81-81 $1 210 $a Ostrava $c Tanger Ltd. $d 2019 $1 702 1 $a Shrbená-Váňová $b J. $4 340 610 $a SIMS 610 $a InGaN/GaN heterostructure 610 $a scintillators 610 $a MOVPE 700 -1
$3 cav_un_auth*0100250 $a Hulicius $b Eduard $p FZU-D $i Polovodiče $j Semiconductors $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0296532 $a Dominec $b Filip $p FZU-D $i Dielektrika $j Dielectrics $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100238 $a Hospodková $b Alice $p FZU-D $i Polovodiče $j Semiconductors $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100432 $a Pangrác $b Jiří $p FZU-D $i Polovodiče $j Semiconductors $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0403637 $a Bábor $b P. $y CZ
Number of the records: 1