Number of the records: 1
Príprava hybridných heteroštruktúr na báze dopovaných diamantových a ZnO vrstiev
- 1.
SYSNO ASEP 0434843 Document Type C - Proceedings Paper (int. conf.) R&D Document Type Conference Paper Title Príprava hybridných heteroštruktúr na báze dopovaných diamantových a ZnO vrstiev Title Preparation of hybrid heterostructures based on doped diamond and zinc oxide films Author(s) Marton, M. (SK)
Mikolášek, M. (SK)
Vojs, M. (SK)
Kotlár, M. (SK)
Flickyngerová, S. (SK)
Kozak, Halyna (FZU-D) RID, ORCID
Ižák, Tibor (FZU-D) RID
Remeš, Zdeněk (FZU-D) RID, ORCID
Varga, Marián (FZU-D) RID, ORCID
Artemenko, Anna (FZU-D) RID, ORCID
Novotný, I. (SK)Source Title Material analysis in vacuum. - Bratislava : Slovenská vákuová spoločnosť, 2014 / Michalka M. ; Vincze A. ; Veselý M. - ISBN 978-80-971179-4-8 Pages s. 16-19 Number of pages 4 s. Publication form Print - P Action School of Vacuum Technology /17./ Event date 02.10.2014-05.10.2014 VEvent location Štrbské Pleso Country SK - Slovakia Event type EUR Language slo - Slovak Country SK - Slovakia Keywords boron doped diamond films ; ZnO films ; hybrid heterostructures ; electrical measurements Subject RIV BM - Solid Matter Physics ; Magnetism R&D Projects 7AMB14SK024 GA MŠMT - Ministry of Education, Youth and Sports (MEYS) Institutional support FZU-D - RVO:68378271 Annotation Dopovaný diamant je unikátny materiál s nespočetným množstvom aplikácií najmä vďaka jeho fyzikálnym a chemickým vlastnostiam. Diamant typu P možno vyrobiť relatívne jednoducho pridaním plynu obsahujúceho bór (diborán, trimetylborán) do zmesi plynov používaných pri raste diamantovej vrstvy (CH4/H2) technológiou chemickej depozície z pár (CVD), diamant typu však N nie je možné pripraviť použitím “klasických“ donorov ako sú fosfor a arzén. Ďalším z rady širokopásmových polovodivých materiálov je oxid zinku (ZnO) so šírkou zakázaného pásma 3,37 eV, ktorá je až 3x väčšia ako v prípade GaN alebo ZnSe. ZnO s vodivosťou typu N možno pripraviť dopovaním napríklad prvkami Ga, Al, Sc alebo Mn. Výroba bipolárnej ZnO heteroštruktúry je na rozdiel od diamantu obmedzená problémami s dopovaním typu P. Perspektívnym riešením problému absencie jedného typu vodivosti v obidvoch polovodičoch pri príprave heteroštruktúry je použitie diamantu typu P a ZnO typu N. Description in English Doped diamond is a unique material for a different applications because of its physical and chemical properties. P-type diamond can be produced relatively easily by adding a boron containing gas (diborane, trimetylboran) to a mixture of gases used for a growth of diamond films (CH4/H2) by chemical vapor deposition (CVD). But N-type diamond can not be prepared by using "classical" donors such as phosphorus and arsenic. Another series broadband semiconductor material is zinc oxide (ZnO) having a band gap of 3.37 eV, which is 3 times greater than in the case of ZnSe or GaN. ZnO with N-type conductivity can be prepared, for example, doping elements Ga, Al, Sc and Mn. Production bipolar ZnO heterostructures is unlike diamond limited problems prospective P type doping solution to the problem of absence of one conductivity type in both the preparation of semiconductors, the use of diamond heterostructures P-type and N-type ZnO. Workplace Institute of Physics Contact Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Year of Publishing 2015
Number of the records: 1