Number of the records: 1
Suppressed contamination of InGaN/GaN MQW region by growing the buffer layer at lower temperature
SYS 0501495 LBL 01000a^^22220027750^450 005 20240103221558.3 017 $2 DOI 100 $a 20190214d m y slo 03 ba 101 $a eng 102 $a JP 200 1-
$a Suppressed contamination of InGaN/GaN MQW region by growing the buffer layer at lower temperature 215 $a 1 s. $c E 463 -1
$1 001 cav_un_epca*0501491 $1 200 1 $a ICMOVPE XIX - Technical Digest $v S. 147-147 $1 210 $a Nara $c Japanese Association for Crystal Growth $d 2018 $1 702 1 $a Miyake $b H. $4 340 610 $a GaN buffer layer 610 $a scintillators 610 $a low dimensional structures 610 $a V-pits 610 $a metalorganic vapor phase epitaxy 610 $a InGaN/GaN QWs 700 -1
$3 cav_un_auth*0100238 $a Hospodková $b Alice $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0296532 $a Dominec $b Filip $i Dielektrika $j Dielectrics $p FZU-D $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0334462 $a Hubáček $b Tomáš $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0285811 $a Zíková $b Markéta $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100432 $a Pangrác $b Jiří $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100426 $a Oswald $b Jiří $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100338 $a Kuldová $b Karla $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0240734 $a Vetushka $b Aliaksi $i Tenké vrstvy a nanostruktury $j Thin Films and Nanostructures $p FZU-D $w Thin Films and Nanostructures $y CZ $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100250 $a Hulicius $b Eduard $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Number of the records: 1