Number of the records: 1
Mapping of dopants in silicon by injection of electrons
SYS 0367163 LBL 01508^^^^^2200277^^^450 005 20240103195832.5 100 $a 20111116d m y slo 03 ba 101 0-
$a eng $d eng 102 $a CZ 200 1-
$a Mapping of dopants in silicon by injection of electrons 215 $a 1 s. 463 -1
$1 001 cav_un_epca*0367161 $1 010 $a N $1 200 1 $a Mikroskopie 2011 $v S. 46 $1 210 $a Nové Město na Moravě $c Československá mikroskopická společnost $d 2011 $1 702 1 $a Frank $b L. $4 340 $1 702 1 $a Hozák $b P. $4 340 610 0-
$a mapping dopants 610 0-
$a semiconductors 700 -1
$3 cav_un_auth*0052204 $a Hovorka $b Miloš $i D1: Elektronová mikroskopie $j D1: Electron Microscopy $p UPT-D $4 070 $T Ústav přístrojové techniky AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0101580 $a Konvalina $b Ivo $i D1: Elektronová mikroskopie $j D1: Electron Microscopy $p UPT-D $w Electron Microscopy $4 070 $T Ústav přístrojové techniky AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0101547 $a Frank $b Luděk $i D1: Elektronová mikroskopie $j D1: Electron Microscopy $p UPT-D $w Electron Microscopy $4 070 $T Ústav přístrojové techniky AV ČR, v. v. i.
Number of the records: 1