Residual resistivity of diluted III-V magnetic semiconductors

0108256 - UFM-A 20043076 RIV CZ eng J - Journal Article
Turek, Ilja - Kudrnovský, Josef - Drchal, Václav - Weinberger, P.
Residual resistivity of diluted III-V magnetic semiconductors.
[Reziduální odpor zředěných magnetických polovodičů III-V.]
Journal of Physics-Condensed Matter. Roč. 16, č. 48 (2004), s. S5607-S5614. ISSN 0953-8984. E-ISSN 1361-648X
R&D Projects: GA ČR GA202/04/0583; GA AV ČR IAA1010203; GA AV ČR IBS2041105
Institutional research plan: CEZ:AV0Z2041904
Keywords : residual resistivity * magnetic semiconductors * Curie temperature
Subject RIV: BM - Solid Matter Physics ; Magnetism
Impact factor: 2.049, year: 2004

The electronic structure and residual resistivity of diluted (Ga,Mn)As magnetic semiconductors were calculated from first principles using the coherent potential approximation. Particular attention was paid to the role of native compensating defects. The calculated resistivities are strongly correlated with the Curie temperatures of the studied alloys

Elektronová struktura a reziduální odpor zředěných magnetických polovodičů (Ga,Mn)As byly počítány z prvních principů v přiblížení koherentního potenciálu. Zvláštní pozornost byla věnována vlivu přirozených kompenzujících poruch. Vypočtené hodnoty odporu jsou silně korelovány s Curieovými teplotami studovaných slitin
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0015392