Rare Earth Doped Gallium Nitride Fabricated by Magnetron Sputtering

0029675 - ÚJF 2006 RIV SK eng C - Conference Paper (international conference)
Prajzler, V. - Špirková, J. - Huttel, I. - Hamáček, J. - Peřina, Vratislav - Macková, Anna
Rare Earth Doped Gallium Nitride Fabricated by Magnetron Sputtering.
[Vzácnými zeminami dopovaný galium nitrid, připravený magnetronovým naprašováním.]
Book of Contributes Papers. Bratislava: Institut of Physics, Slovak Akademy of Sciences, 2005 - (Hensel, K.; Matějíček, Š.; Skalný, J.; Mason, N.), s. 231-232. ISBN 80-223-2018-8.
[Symposium on Applications of Plasma Processes /15./ and EU-Japan Joint Symposium on Plasma Processing /3./. Podbanské (SK), 15.01.2005-20.01.2005]
R&D Projects: GA ČR(CZ) GA104/03/0385
Institutional research plan: CEZ:AV0Z10480505
Keywords : gallium nitride * magnetron sputtering
Subject RIV: BG - Nuclear, Atomic and Molecular Physics, Colliders

GaN layers containing Er ions are deposited by rf magnetron sputtering. The Ga2O3 target in Ar + N2 gas mixture was used for fabrication of the GaN layers. For doping erbium oxide pellets were laid on the top of the target. The properties of the fabricated layers were investigated by X-ray diffraction (XRD), Raman spektroscopy, absorption spectra and photoluminiscence spectra. The composition of the fabricated samples was determined by Rutherford Backscattering Spectroscopy (RBS).

Vzácnými zeminami dopovaný galium nitrid byl deponován magnetronovým naprašováním. Byl použit terčík Ga2O3 ve směsi Ar + N2. Dopováno bylo pomocí tablety kysličníku erbia umístěné na povrchu terčíku. Vlastnosti vyrobených vrstev byly zkoumány metodami XRD (rentgenovská difrakce), Ramanovské spektroskopie, absorpční a fotoluminiscenční spektroskopie. Složení vrstev bylo stanoveno metodou Rutherfordského zpětného odrazu (RBS).
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0119487