Number of the records: 1
Lateral shape of InAs/GaAs quantum dots in vertically correlated structures grown by MOVPE
- 1.0085194 - FZÚ 2008 RIV NL eng J - Journal Article
Hospodková, Alice - Křápek, V. - Mates, Tomáš - Kuldová, Karla - Pangrác, Jiří - Hulicius, Eduard - Oswald, Jiří - Melichar, Karel - Humlíček, J. - Šimeček, Tomislav
Lateral shape of InAs/GaAs quantum dots in vertically correlated structures grown by MOVPE.
[Laterální tvar InAs/GaAs kvantových teček ve vertikálně korelovaných strukturách připravených pomocí MOVPE.]
Journal of Crystal Growth. Roč. 298, - (2007), s. 570-573. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
R&D Projects: GA AV ČR KJB101630601; GA ČR GA202/06/0718; GA ČR GA202/05/0242; GA MŠMT LC510; GA MŠMT(CZ) LC06040
Institutional research plan: CEZ:AV0Z10100521
Keywords : nanostructures * MOVPE * arsenides * semiconducting III-V materials
Subject RIV: BM - Solid Matter Physics ; Magnetism
Impact factor: 1.950, year: 2007
We studied shape of quantum dots in vertically correlated quantum dots where several layers of QDs (VCQDs) were grown. We try to expain the mechanism of changing lateral shape of VCQDs
Studovali jsme tvar kvantových teček ve vertikálně korelovaných strukturách o několika vrstvách kvantový teček (VCQDs). Snažíme se vysvětlit mechanizmus měnící laterální tvar ve VCQDs
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0147758
Number of the records: 1