IR Laser-Induced Process for Chemical Vapor Deposition of Polyselenocarbosilane Films

0049444 - UCHP-M 20060005 RIV NL eng J - Journal Article
Santos, M. - Diaz, L. - Urbanová, Markéta - Pokorná, Dana - Bastl, Zdeněk - Šubrt, Jan - Pola, Josef
IR Laser-Induced Process for Chemical Vapor Deposition of Polyselenocarbosilane Films.
[IČ laserově iniciovaný proces pro chemickou deposici polyselenokarbosilanových filmů z plynné fáze.]
Journal of Analytical and Applied Pyrolysis. Roč. 76, 1-2 (2006), s. 178-185. ISSN 0165-2370. E-ISSN 1873-250X
R&D Projects: GA MŠMT(CZ) ME 684
Grant - others:MCyT(ES) BQU2003/08531/CO2/02
Institutional research plan: CEZ:AV0Z40720504; CEZ:AV0Z40400503; CEZ:AV0Z40320502
Keywords : polyselenocarbosilane * selenium * laser decomposition
Subject RIV: CH - Nuclear ; Quantum Chemistry
Impact factor: 1.412, year: 2006

TEA CO2 laser irradiation into gaseous mixtures of 1,3-disilacyclobutane and dimethyl selenide results in infrared multiple photon-induced, non-interacting homogeneous decompositions of both educts, one yielding silene (H2Si=CH2) and the other elemental selenium as major products. The reaction between polymerizing silene and agglomerizing Se leads to chemical vapor deposition of novel polyselenocarbosilane films which are unstable in atmosphere. The laser induced co-decomposition represents a new process in allowing (i) reaction between thermally generated transient and element (ii) and chemical vapor deposition of the product of this reaction.

TEA CO2 laserové ozařování plynných směsí 1,3-disilacyclobutanu a dimethyl selenidu vede k IČ mnohofotonovým neinteragujícím rozkladům obou eduktů, tedy k tvorbě silenu (H2Si=CH2) a elementárního selenu. Reakce mezi oběma intermediáty produkuje nové polyselenokarbosilanové filmy, které jsou nestálé vůči atmosféře. Tento laserově iniciovaný ko-rozklad představuje nový proces dovolující reakci mezi inetrmediátem a prvkem a umožňuje chemickou deposici produktu této reakce z plynné fáze.
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0139828