Number of the records: 1  

Hallův senzor

  1. 1.
    SYSNO ASEP0616674
    Document TypeP1 - Utility model, Industrial Design
    R&D Document TypeResults of legal proteciton (Utility Model , Industrial Design)
    RIV SubspeciesUžitný vzor
    TitleHallův senzor
    TitleHall sensor
    Author(s) Ďuran, Ivan (UFP-V) RID, ORCID
    Entler, Slavomír (UFP-V) ORCID
    Šimonovský, M. (CZ)
    Johan, J. (CZ)
    Štěpán, L. (CZ)
    Řeboun, J. (CZ)
    Turjanica, P. (CZ)
    Kusenda, L. (SK)
    Number of authors8
    Year of issue2024
    Name of the patent ownerÚFP AV ČR, v. v. i.
    Date of the utility model acceptance25.06.2024
    Utility model number37958
    Licence feeZ - Poskytovatel licence nepožaduje v některých případech licenční poplatek
    Current useA - Pouze udělený (dosud nevyužívaný) patent nebo patent využívaný jeho vlastníkem
    Use by another entityP - Využití výsledku jiným subjektem je v některých případech možné bez nabytí licence
    Code of the issuer nameCZ001 - Úřad průmyslového vlastnictví Prague
    Languagecze - Czech
    Keywordsmagnetic field ; temperature ; radiation
    Subject RIVJB - Sensors, Measurment, Regulation
    OECD categoryElectrical and electronic engineering
    R&D ProjectsTK03030070 GA TA ČR - Technology Agency of the Czech Republic (TA ČR)
    Institutional supportUFP-V - RVO:61389021
    AnnotationHallův senzor je tvořen antimonovou citlivou vrstvou, difúzně bariérovou vrstvou, elektrickými kontaktními body, elektrickými spoji, elektrickými kontaktními plochami , elektrickými přívody a teplotně a radiačně odolným podkladovým substrátem, jehož podstata spočívá v tom, že zahrnuje difúzně bariérovou vrstvu z wolframu nebo ze slitiny wolframu a titanu s obsahem wolframu nejméně 60 % propojujících antimonovou citlivou vrstvu a elektrické kontaktní body.
    Description in EnglishThe Hall sensor comprises an antimony sensing layer, a diffusion barrier layer, electrical contact points , electrical junctions, electrical contact surfaces, electrical leads, and a temperature and radiation resistant substrate, the nature of which is to include a diffusion barrier layer of tungsten or a tungsten-titanium alloy having a tungsten content of at least 60 % connecting the antimony sensing layer and the electrical contact points.
    WorkplaceInstitute of Plasma Physics
    ContactVladimíra Kebza, kebza@ipp.cas.cz, Tel.: 266 052 975
    Year of Publishing2025
    Electronic addresshttps://isdv.upv.gov.cz/doc/FullFiles/UtilityModels/FullDocuments/FDUM0037/uv037958.pdf
Number of the records: 1  

Metadata are licenced under CC0

  This site uses cookies to make them easier to browse. Learn more about how we use cookies.