Number of the records: 1
Příprava funkční heterostruktury InGaN/GaN na safírovém substrátu
- 1.Hubáček, Tomáš - Hospodková, Alice
Příprava funkční heterostruktury InGaN/GaN na safírovém substrátu.
[Preparation of functional InGaN/GaN heterostructure on sapphire substrate.]
Internal code: InGaN1 ; 2020
Technical parameters: Technologii lze využít pro výrobu rychlých scintilačních stínítek např. do elektronových mikroskopů. Dosvit nejrychlejší složky pod 3 ns.
Economic parameters: Na využití této technologie byl již předem podán patent 306026 a je uzavřena smlouva mezi firmou Crytur a FZU o využití výsledku.
OECD category: Optics (including laser optics and quantum optics)
http://hdl.handle.net/11104/0318142
Number of the records: 1