Number of the records: 1
Příprava funkční heterostruktury InGaN/GaN na safírovém substrátu
SYS 0540512 LBL 01000a^^22220027750^450 005 20240103225528.2 100 $a 20210126d m y slo 03 ba 101 $a cze 102 $a CZ 200 1-
$a Příprava funkční heterostruktury InGaN/GaN na safírovém substrátu 210 $d 2020 541 $a Preparation of functional InGaN/GaN heterostructure on sapphire substrate $z eng 610 $a GaN 610 $a InGaN 610 $a heterostructure 610 $a scintillation detection 610 $a MOVPE 700 -1
$3 cav_un_auth*0334462 $a Hubáček $b Tomáš $p FZU-D $i Polovodiče $j Semiconductors $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100238 $a Hospodková $b Alice $p FZU-D $i Polovodiče $j Semiconductors $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Number of the records: 1