Number of the records: 1  

Zařízení pro zvýšení depoziční rychlosti HiPIMSu použitím balíčků pulzů

  1. 1.
    SYSNO ASEP0537050
    Document TypeL - Prototype, Functional Specimen
    R&D Document TypePrototype, Functional Specimen
    RIV SubspeciesFunctional Specimen
    TitleZařízení pro zvýšení depoziční rychlosti HiPIMSu použitím balíčků pulzů
    TitleDevice for deposition rate increase in HiPIMS using pulse packages
    Author(s) Čada, Martin (FZU-D) RID, ORCID, SAI
    Hubička, Zdeněk (FZU-D) RID, ORCID, SAI
    Hnilica, J. (CZ)
    Klein, P. (CZ)
    Vašina, P. (CZ)
    Year of issue2020
    Int.CodeFVNCK1/FZU/2020
    Technical parametersDélka pulzu: 30 μs, vzdálenost mezi pulzy v balíčku: 20 μs, střída: 5 %, počet pulzů:4, pracovní tlak v reaktoru: 1 Pa
    Economic parametersLaboratorní zařízení nezbytné pro další aplikovaný výzkum
    Owner NameFyzikální ústav AV ČR, v. v. i. - Masarykova univerzita
    Registration Number of the result owner68378271
    Applied result category by the cost of its creationA - Vyčerpaná část nákladů <= 5 mil. Kč
    License fee feeA - Poskytovatel licence požaduje licenční poplatek
    Internal identification code of the product assigned by its creator, Regulation no.,FVNCK1/FZU/2020
    Languagecze - Czech
    CountryCZ - Czech Republic
    Keywordssputtering ; thin films ; plasma ; deposition ; deposition rate ; pulse package ; ionization fraction
    Subject RIVBL - Plasma and Gas Discharge Physics
    OECD categoryFluids and plasma physics (including surface physics)
    R&D ProjectsTN01000038 GA TA ČR - Technology Agency of the Czech Republic (TA ČR)
    Institutional supportFZU-D - RVO:68378271
    AnnotationV rámci řešení projektu TAČR jsme vyvinuli zařízení pro zvýšení depoziční rychlosti HiPIMSu použitím balíčků pulzů. Změřené parametry plazmatu prokázali, že zařízení je schopné zdvojnásobit depoziční rychlosti při zachování ionizačního stupně rozprášených částic.
    Description in EnglishAs a part of the TAČR project, we have developed a device for deposition rate increase in HiPIMS using pulse packages. The measured plasma parameters showed that the device is capable to double the deposition rate while the ionization fraction of sputtered species remain the same.
    WorkplaceInstitute of Physics
    ContactKristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Year of Publishing2021
Number of the records: 1  

  This site uses cookies to make them easier to browse. Learn more about how we use cookies.