Number of the records: 1  

SMV-2020-23: Vývoj testovacích preparátů pro REM

  1. 1.
    SYSNO ASEP0536616
    Document TypeV - Research Report
    R&D Document TypeV - Research Report
    TitleSMV-2020-23: Vývoj testovacích preparátů pro REM
    TitleSMV-2020-23: Development of test specimens for SEM
    Author(s) Matějka, Milan (UPT-D) RID, ORCID, SAI
    Horáček, Miroslav (UPT-D) RID, ORCID, SAI
    Meluzín, Petr (UPT-D) RID, ORCID, SAI
    Chlumská, Jana (UPT-D) RID, ORCID, SAI
    Kolařík, Vladimír (UPT-D) RID, ORCID, SAI
    Krátký, Stanislav (UPT-D) RID, ORCID, SAI
    Pokorná, Zuzana (UPT-D) RID, ORCID, SAI
    Number of authors7
    Issue dataBrno: Tescan Brno s.r.o., 2020
    Number of pages8 s.
    Publication formPrint - P
    Languagecze - Czech
    CountryCZ - Czech Republic
    Keywordsrelief structure: e-beam lithography ; silicon etching ; microlithography
    Subject RIVBH - Optics, Masers, Lasers
    OECD categoryNano-processes (applications on nano-scale)
    Next sourceNon-public resources
    AnnotationVývoj přesných reliéfních struktur v křemíku určených pro testování zobrazování v rastrovacích elektronových mikroskopech (REM). Pro přípravu preparátů byly využity mikro litografické techniky opracování křemíku. Byly vyvinuty přípravky pro technologické operace depozice rezistu a pro operace leptání. Optimalizace bylo dosaženo i v oblasti transferu reliéfní struktury do křemíkové podložky při anizotropním leptání, díky modifikacím leptací aparatury. Pro kontrolu a vyhodnocení jakosti čipů mezi jednotlivými technologickými operacemi byly vyvinuty standardizované postupy.
    Description in EnglishDevelopment in the field realization of precise relief structures in the silicon dedicated to the testing of the scanning electron microscopes (SEM) deflection field and accuracy. Micro-lithographic techniques for the recording of patterns in the silicon were used. New tools for handling during technological operations of resist deposition and etching were developed. Optimization was reached in the process of transfer of the relief structure into silicon via anisotropic etching, due modification of etching apparatus. Standardized procedures for inspection and quality control were developed.
    WorkplaceInstitute of Scientific Instruments
    ContactMartina Šillerová, sillerova@ISIBrno.Cz, Tel.: 541 514 178
    Year of Publishing2021
Number of the records: 1  

  This site uses cookies to make them easier to browse. Learn more about how we use cookies.