Number of the records: 1
Paměťový prvek pro uložení n-bitového kódu a způsob vytvoření tohoto kódu.
- 1.
SYSNO ASEP 0504859 Document Type P - Patent R&D Document Type Patent or other outcome protected by special legislation Title Paměťový prvek pro uložení n-bitového kódu a způsob vytvoření tohoto kódu. Title A memory item for storing the n-bit code and a method for generating the code. Author(s) Veselý, M. (CZ)
Dzik, P. (CZ)
Klusoň, Petr (UCHP-M) RID, ORCID, SAI
Morozová, Magdalena (UCHP-M) RID, SAI
Kubáč, L. (CZ)
Akrman, J. (CZ)Year of issue 2020 Publication form Print - P Possible third party use of the result A - Pro využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence Royalty requested A - Poskytovatel licence požaduje licenční poplatek Patent no. or utility model no. or industrial design no. 308265 Date of the patent acceptance 19.02.2020 Name of the patent owner Ústav chemických procesů AV ČR, v. v. i. - Centrum organické chemie - Vysoké učení technické v Brně Code of the issuer name CZ001 - Úřad průmyslového vlastnictví Prague Current use A - Pouze udělený (dosud nevyužívaný) patent nebo patent využívaný jeho vlastníkem Language cze - Czech Keywords n-bit code ; electrodes ; UV radiation Subject RIV CI - Industrial Chemistry, Chemical Engineering OECD category Chemical process engineering R&D Projects VI20162019037 GA MV - Ministry of Interior (MV) Institutional support UCHP-M - RVO:67985858 Annotation Paměťový prvek (1) pro uložení n-bitového kódu pro n ≥ 2 je tvořený fotochemickým článkem (2), kde fotochemický článek (2) zahrnuje nosný podklad (3), na kterém je uspořádána soustava elektrod (6, 7, 8) obklopená gelovým elektrolytem (4). Soustava elektrod (6, 7, 8) je tvořena tiskovou vrstvou na nosném podkladu a každá z elektrod (6, 7, 8) je opatřena výstupním kontaktem (5) vyvedeným na povrch nosného podkladu (3). Soustava elektrod (6, 7, 8) zahrnuje jednu společnou katodu (6), jednu referenční fotoanodu (7) opatřenou polovodičovou vrstvou (9) tvořenou tiskovou vrstvou uspořádanou na povrchu referenční fotoanody (7) a generující po dopadu UV záření výstupní fotoproud Ir, a alespoň jednu měřicí fotoanodu (8) opatřenou polovodičovou vrstvou (9´) tvořenou tiskovou vrstvou uspořádanou na povrchu měřicí fotoanody (8) a generující po dopadu UV záření výstupní fotoproud Im pro který platí Ir ≥ Im. Hodnoty výstupních fotoproudů Im tvoří n-bitový kód generovaný paměťovým prvkem (1). Description in English The memory item (1) for storing the n-bit code for n ≥ 2 comprises a photochemical cell (2), the photochemical cell (2) includes a support substrate (3) on which an electrode array (6, 7, 8) is surrounded gel electrolyte (4). The electrodes (6, 7, 8) are formed by a printing layer on the support substrate and each of the electrodes (6, 7, 8) has an output contact (5) led to the surface of the bearing base (3). The electrodes (6, 7, 8) include one common cathode (6), one reference photoanode (7) with a semiconductor layer (9) formed by a printing layer on the surface of the reference photoanode (7) and generating an output photocurrent Ir after impact of UV radiation and at least one measurement photoanode (8) with a semiconductor layer (9 ') formed by a printing layer on the surface of the measurement photoanode (8) and generating a photocurrent Im upon which Ir ≥ Im is applied after UV radiation. The values of the output photocurrent Im form the n-bit code generated by the memory element (1). Workplace Institute of Chemical Process Fundamentals Contact Eva Jirsová, jirsova@icpf.cas.cz, Tel.: 220 390 227 Year of Publishing 2021 Electronic address https://isdv.upv.cz/doc/FullFiles/Patents/FullDocuments/308/308265.pdf
Number of the records: 1