Number of the records: 1
InGaN/GaN structures: effect of the quantum well number on the cathodoluminescent properties
SYS 0492160 LBL 01000a^^22220027750^450 005 20240103220328.6 014 $a 85038810143 $2 SCOPUS 014 $a 000432028400021 $2 WOS 017 70
$a 10.1002/pssb.201700464 $2 DOI 100 $a 20180815d m y slo 03 ba 101 0-
$a eng 102 $a DE 200 1-
$a InGaN/GaN structures: effect of the quantum well number on the cathodoluminescent properties 215 $a 5 s. 463 -1
$1 001 cav_un_epca*0257422 $1 011 $a 0370-1972 $e 1521-3951 $1 200 1 $a Physica Status Solidi B $e Basic Solid State Physics $v Roč. 255, č. 5 (2018), s. 1-5 $1 210 $c Wiley 608 $a Article 610 $a MOVPE 610 $a nitrides 610 $a scintillator 610 $a quantum well 610 $a cathodoluminescence 700 -1
$3 cav_un_auth*0100238 $a Hospodková $b Alice $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $z K $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0334462 $a Hubáček $b Tomáš $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100426 $a Oswald $b Jiří $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100432 $a Pangrác $b Jiří $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100338 $a Kuldová $b Karla $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0294089 $a Hývl $b Matěj $i Tenké vrstvy a nanostruktury $j Thin Films and Nanostructures $p FZU-D $w Thin Films and Nanostructures $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0296532 $a Dominec $b Filip $i Dielektrika $j Dielectrics $p FZU-D $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0342732 $a Ledoux $b G. $y FR 701 -1
$3 cav_un_auth*0039878 $a Dujardin $b C. $y FR
Number of the records: 1