Number of the records: 1
Žíhání polykrystalických tenkovrstvých křemíkových solárních článků ve vodní páře za sníženého tlaku
- 1.
SYSNO ASEP 0425201 Document Type A - Abstract R&D Document Type The record was not marked in the RIV R&D Document Type Není vybrán druh dokumentu Title Žíhání polykrystalických tenkovrstvých křemíkových solárních článků ve vodní páře za sníženého tlaku Title Annealing of polycrystalline thin film silicon solar cells in water vapour at pressures below atmospheric pressure Author(s) Pikna, Peter (FZU-D) RID
Fejfar, Antonín (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Píč, Vlastimil (FZU-D)
Müller, Martin (FZU-D) RID, ORCID
Ledinský, Martin (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Kočka, Jan (FZU-D) RID, ORCID, SAISource Title Sborník 8. české fotovoltaické konference. - Rožnov pod Radhoštěm : Czech RE Agency, o.p.s, 2013 Number of pages 2 s. Action Česká fotovoltaická konference /8./ Event date 14.05.2013-15.05.2013 VEvent location Brno Country CZ - Czech Republic Event type CST Language cze - Czech Country CZ - Czech Republic Keywords passivation ; water vapour ; polycrystalline thin film silicon ; multicrystalline silicon ; Suns-Voc Subject RIV JE - Non-nuclear Energetics, Energy Consumption ; Use R&D Projects FR-TI2/736 GA MPO - Ministry of Industry and Trade (MPO) LM2011026 GA MŠMT - Ministry of Education, Youth and Sports (MEYS) Institutional support FZU-D - RVO:68378271 Annotation Tenkovrstvé polykrystalické křemíkové (poly-Si) solární články byly žíhány ve vodní páře za tlaku nižšího, než je atmosférický. Vzorek byl kontaktován měřícími hroty přímo v tlakové nádobě. Suns-Voc metodou a synchronním detektorem byl sledován účinek vodní páry na článek v průběhu celého pasivačního procesu (in-situ). Teplota vzorku byla konstantní v průběhu celého procesu, od 55°C do 110°C, čemuž odpovídá nižší Voc, než za pokojové teploty. Nicméně, napěťová odezva solárního článku na měnící se intenzitu světla při měření byla dobře pozorovatelná. Bylo provedeno srovnání teplotní závislosti Voc multikrystalického a polykrystalického křemíkového solárního článku. Ve výše zmíněném teplotním intervalu nebylo zatím pozorováno výraznější zlepšení parametrů solárních článků účinkem vodní páry. Description in English Thin film polycrystalline silicon (poly-Si) solar cells were annealed in water vapour at pressures below atmospheric pressure. PN junction of the sample was contacted by measuring probes directly in a pressure chamber. Suns-Voc method and a lock-in detector were used to monitor an effect of water vapour to the solar cell during whole passivation process (in-situ). Temperature of the sample was constant during the procedure, from 55°C to 110°C, what corresponds with open-circuit voltage lower than at room temperature. Nevertheless, voltage response of the solar cell to the light flash used during Suns-Voc measurement was good observable. Comparison of temperature dependence for multicrystalline wafer-based and polycrystalline thin film solar cells was performed. No significant improvement of thin film poly-Si solar cell parameters by annealing in water vapour was observed up to now. Workplace Institute of Physics Contact Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Year of Publishing 2014
Number of the records: 1